55nm CMOS工艺是否不适合用于射频功率放大器设计？

木目 · 发表于 2022-11-3 22:56:11

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最近采用smic55llrf工艺进行毫米波PA设计，遇到了一些问题，指标不是很理想。
在IEEE explore上查找论文，发现很少有采用55nm CMOS工艺设计的毫米波PA，大部分使用的是40/45nm、65nm CMOS工艺。
就想问下55nm CMOS工艺是否不适合设计毫米波PA？

007myzzx · 发表于 2022-11-4 08:31:18

基于CMOS的射频PA功率能到多少？够用吗?

木目 · 发表于 2022-11-4 08:48:26

007myzzx 发表于 2022-11-4 08:31
基于CMOS的射频PA功率能到多少？够用吗?

功率要看工作频率与管子尺寸，我在30GHz附近前仿能得到20dBm以上的输出功率，但与另一个65nm工艺相比是偏小的。
且采用cascode结构后PAE偏小。

追魂 · 发表于 2022-11-4 09:01:18

完全没有问题

007myzzx · 发表于 2022-11-4 11:43:43

DavidChen三牛 · 发表于 2022-11-4 11:56:53

应该可以，可以多叠几层，电流够就行

木目 · 发表于 2022-11-5 09:17:27

007myzzx 发表于 2022-11-4 11:43
https://cdmd.cnki.com.cn/Article/CDMD-10359-1019218883.htm
看看这个

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[调查] 55nm CMOS工艺是否不适合用于射频功率放大器设计？