小弟做bcd工艺时遇到器件问题，求大佬指点

赵日新 · 发表于 2022-11-3 17:36:08

在查阅bcd工艺手册时，发现有两种管子，一种是dnw_nbl的管子，一种是nbl的管子，如下图，请问这两个在电学特性上有什么区别吗？最好能从工艺制程上解释两种管子的差异。

赵日新 · 发表于 2022-11-3 17:42:32

查阅了电学特性表，两中管子参数是一样的，在使用时有什么区别呢？

lodestar6666 · 发表于 2022-11-3 19:24:59

你要看耐压值

peterlin2010 · 发表于 2022-11-3 21:34:44

那家 PROCESS ?

有些HV 高压 OXIDE 都NBL , 但BCD 会用 deep N-well .

有些还有 STI 隔离 , 和 DTI (deep Trench )

P_epi 通常阻亢低 , 下面那个 ISO PMOS 的 bulk 阻亢比较小

Ddot_zth · 发表于 2022-11-4 17:08:51

看起来是考量到了隔离，应该是可靠性相关吧。采用DNW的latch up会好一些，但是应该因为DNW，所以面积大一些。

赵日新 · 发表于 2022-11-6 11:28:58

同样pmos是有差别的，dnw的类似两层隔离，而epi的与pmos的bulk是同类型，看起来pmos差别更大

赵日新 · 发表于 2022-11-6 11:42:27

不太会用，刚才发错了，pmos差别蛮大的，对于dnw的pmos来说，他的源漏直接坐在dnw中，而nbl的pmos来讲，他是在p-epi上做了一个n注入，在浅的nwell里面做的源漏，看起来多了一层隔离

叮叮当当闯天涯 · 发表于 2023-6-16 16:21:35

赵日新发表于 2022-11-6 11:42
不太会用，刚才发错了，pmos差别蛮大的，对于dnw的pmos来说，他的源漏直接坐在dnw中，而nbl的pmos来讲，他 ...

有pmos的界面图么？想知道pmos的结构差异在哪，谢谢

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