版图OD层面积

isxiaoming · 发表于 2022-11-2 17:35:15

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OD层面积太大有什么影响呢，28nm工艺为什么不建议公用mos的源漏端呢

이지은 · 发表于 2022-11-3 17:59:24

这跟工艺没关系好吧，只是因为电路的要求，共用和不共用的后仿效果不一样，就算是180的工艺，电路都会有建议不共用，更何况小工艺，要求更严格

模拟后端的小白 · 发表于 2022-11-3 18:48:13

我们t40，S40都建议共用S/D，可以减小OD效应，

policectsu · 发表于 2022-11-4 08:15:31

请问一下，是不是只有OD中才有注入的离子？而P/N Well减去OD的区域为STI？

pph_cq · 发表于 2022-11-5 10:45:58

이지은 发表于 2022-11-3 17:59
这跟工艺没关系好吧，只是因为电路的要求，共用和不共用的后仿效果不一样，就算是180的工艺，电路都会有建 ...

我们不管是180还是40都是建议共用的

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