block端口IO buffer附近为什么容易出现dynamic IR问题

suzhouwuyanzu

困扰挺久了，希望有大佬来解答一下疑惑~

豆豆熊

原因是多种多样的 具体情况不清楚 我随便说几点
1. Block出来的BUFF CELL物理位置过于集中，团聚在一起引起动态压降，推散开会缓解IR，尤其是大驱动的不要同一个ROW

2. 如果局部的PDN受Block影响，其鲁棒性不足，也是造成DynamicIR增大的直接因素；或者BUFF所在区域PDN存在Missvia

3. 单个的BUFF本身Peak Current过大，这时需要看看BUFF 的Input tran或者Cload是否过大，可以降低BUFF负载，时序允许也可以size down BUFF

4.  DECAP是否正确插入？数量是否足够？这对缓解IR很关键

5. PDN的Source点是否过远？检查一下BUFF CELL的MIN RES PATH

随便写写，希望对你有帮助

ime

试试把input delay错开一点时间，不要让IO Buffer一起toggle
再或者flattern run PA

suzhouwuyanzu

豆豆熊 发表于 2022-10-29 08:55
原因是多种多样的 具体情况不清楚 我随便说几点
1. Block出来的BUFF CELL物理位置过于集中，团聚在一起引起 ...

1. 现在已经按左右padding各2推开了，估计还没推够
2.检查过了，IO附近的PG是全的，也没有漏孔现象存在
3.用的BUFFD6，也不算特别大颗cell
4.全局加filler时都填入DCAP了，也有提前预埋的DCAP
5.IO附近上方也有bump，trace了一下离的并不是很远
或者我再推开更多距离再试一下
现在对IO上的input delay也设了随机值错开了，或者等合到顶层再看一下
最后，感谢大佬答复~

suzhouwuyanzu

ime 发表于 2022-10-29 12:07
试试把input delay错开一点时间，不要让IO Buffer一起toggle
再或者flattern run PA

跑的时候已经错开了，标了随机的input delay值；
现在看来只能合到顶层再看一下了，感谢大佬回复