非常奇怪的现象，芯片上电有的很大的静态电流，且可自动恢复

zczc999 · 发表于 2022-10-27 10:57:04

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本帖最后由 zczc999 于 2022-10-27 14:47 编辑

我们有一颗芯片，上电后会有很大的漏电（200mA），而且是发生在数字部分，现象如下：1. 跟corner相关，FS corner最差，SS其次，其他corner好一些
2. 温度越高漏电越小，把温度固定后漏电也是稳定的
3. 持续漏电一段时间后电流会慢慢变小，最后会到正常值(<1mA)
4. 漏电只发生在整个数字模块，几乎所有的数字都在漏，包括SRAM
5.正常的芯片上电过程中也会有一个大的peak current，大概能有70mA，峰值在DVCC/2左右
6. 漏电时跑MBIST是正常的，不影响功能

想了很多可能的原因，但都一一排除了：
1. latchup -- 电流是可恢复的，排除latchup
2. 数模接口亚稳态 -- 检查过电路，不存在亚稳态，而且就算亚稳态也不可能传播这么远，导致整个芯片都漏电
3. nwell/psub电压接反了 -- 电流可恢复，且跟corner相关，排除

目前推测可能跟衬底电位有关，但是这个持续的，跟温度和corner相关的电流具体从哪来的一直没找到源头。
另外芯片数字部分的density比较低（<50%），decap加了很多，会跟这个有关吗？

各位大神能帮忙看看会是什么原因吗？

还有一个现象：高温可以快速让leakage回归正常，之后就算放在低温下也不会再有漏电。

xuwenwei · 发表于 2022-10-27 11:14:38

以前也遇到过数字大电流，那个时候是工艺出问题了，导致mos管有问题反相器节点处于中间电平，时间长了电位恢复了就没有大电流了，不知道是不是你这个原因

黄17141213013 · 发表于 2022-10-27 11:30:37

膜拜一下。。

zczc999 · 发表于 2022-10-27 14:13:00

xuwenwei 发表于 2022-10-27 11:14
以前也遇到过数字大电流，那个时候是工艺出问题了，导致mos管有问题反相器节点处于中间电平，时间长了电位 ...

反相器处于中间电平是测试出来的吗？还是推测的？

xuwenwei · 发表于 2022-10-27 17:28:36

zczc999 发表于 2022-10-27 14:13
反相器处于中间电平是测试出来的吗？还是推测的？

其他都试过了解析不出来，后面就做切片发现工艺异常，然后推测的

c340126c3401261 · 发表于 2022-10-27 17:37:29

COOOL

jojenwong · 发表于 2022-10-27 17:41:09

mark 感觉是个好问题

zczc999 · 发表于 2022-10-27 20:51:04

xuwenwei 发表于 2022-10-27 17:28
其他都试过了解析不出来，后面就做切片发现工艺异常，然后推测的

感谢分享，这个方案有点复杂，要去分析工艺，这对fabless来说难度有点大啊

heronumber1 · 发表于 2024-8-2 09:31:04

decap用的是什么类型的

陈腾腾 · 发表于 2024-8-2 09:41:23

电源方案是什么样的，会不会是电源开始过建立了，一段时间后稳定回来了

[原创] 非常奇怪的现象，芯片上电有的很大的静态电流，且可自动恢复

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