laser fuse trim BG电压的问题

lonemy

芯片中的BG电压，一般都需要进行trim才能做到较高的精度。之前咨询过laser fuse的做法，好像是说如果BG有4bit trim，那么一整张晶圆就只能下一个trim code，比如第一颗芯片烧写1110（1代表烧断），那么晶圆上的其他芯片都必须是1110。而不能做到根据测试结果对不同芯片烧写不同的code。请问有做过laser fuse经验的大佬，是这个样子的吗？另外国内有哪些做laser fuse比较靠谱的供应商？

1016958509

楼主，应该还是受限于fuse的种类，看看激光端能不能做到可控，即根据实际trim值进行烧录，如果不能，那这个校准过程相对粗糙咯，误差比较大；

lonemy

1016958509 发表于 2022-10-17 14:40
楼主，应该还是受限于fuse的种类，看看激光端能不能做到可控，即根据实际trim值进行烧录，如果不能，那这个 ...

是啊，我们也是觉得他这种方式不靠谱，所以没有进行下去。现在也想咨询一下国内有没有能根据测量结果进行triming的供应商。

andy2000a

芯片中的BG电压，一般都需要进行trim才能做到较高的精度。之前咨询过laser fuse的做法，好像是说如果BG有4bit trim，那么一整张晶圆就只能下一个trim code，比如第一颗芯片烧写1110（1代表烧断），那么晶圆上的其他芯片都必须是1110。而不能做到根据测试结果对不同芯片烧写不同的code。请问有做过laser fuse经验的大佬，是这个样子的吗？另外国内有哪些做laser fuse比较靠谱的供应商

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laser fuse 会die-by die  烧. 会CP1  CP2 .  Cp1 先量 , 再来是TRIM , cp2 在测  

Trim 如果弄不好 会出现双峰 . 比较好的应该高斯分布那类 .  再来是 如 trim 不只 VBG  VREF  还有clock .  一般会用 OPA做出一个VREF去 trim , 如果有 vrefand osc ,  就是 假设你 Vref Target= 1.5v

先量 vref , 得到 vref trim code .  同时 force  v=1.5v 因为要同时量osc 的trim code .  这样 trim 过后 会 一次 把  vref osc 都 TRIM 到.

CP1  meas-> trim  -> CP2  meas

Laser fuse or e-Fuse 都须 2 道 CP , e-Fuse 好处可 在FT 做烧fuse , 因为 package 后 有些 VBG 会 飘一些些 ..

否则如果你先 trim  vref , vref 准后在去trim  osc 那须很多道 CP

CP meas  -> trim vref -> CP2  meas osc -> trim osc  

至于trim code 如果每个 DIE 都不同 就是 花时间 . 一般 都会不同  毕竟会mismatch 发生,  你说厂商说 整片 wafer 同 code ..那 不太可能的 . 都同CODE 会有 yield loss .  不过 有时会发生 ..Die-dietrim 完一片,  但 另一片 wafer 可能trim code 不同 .  不同批lot 又不同, 这样会很麻烦 ,  

通常都一片wafer  trim code 后,后面几片wafer 都同一组code 烧..这样 不必每片 wafer都去特别调trim code  , 缺点会有yield loss ,  优点每片wafer 都自己 code  那 yield 高.

andy2000a

激光端能不能做到可控

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Fuse 得 同样 spacing …

因为不同spacing  下 fuse 打能量不同 , 测厂不准这发生的

Fuse 也得同一排   ,不同排会增加index time 也不好 .

lonemy

andy2000a 发表于 2022-10-17 16:40
激光端能不能做到可控

=>  Fuse 得 同样 spacing …因为不同spacing  下 fuse 打能量不同 , 测厂不准这发 ...

你说的这两点我们都满足，请问你有可以实施的laser fuse供应商推荐吗？

fengluan83

lonemy 发表于 2022-10-17 17:45
你说的这两点我们都满足，请问你有可以实施的laser fuse供应商推荐吗？

请问下最后怎么解决的，能不同die不同code吗？找的哪儿做的？