带隙基准源

x14843912 · 发表于 2022-10-13 22:29:00

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

在带隙基准源中，通常使用三极管来产生VCTAT，二极管电压同样具有负温度系数，且版图面积更小，为什么在带隙基准源中二极管的使用很少？

ICdesign101 · 发表于 2022-10-13 22:56:53

顶一下，一直用BJT做，一直没有仔细思考过这个问题

莫莘辛宇 · 发表于 2022-10-14 08:47:45

正温度系数你靠二极管无法生成，还是得用三极管，这样你用的二极管就多余了，不如直接用三极管合适，正负温度系数还有关联。电路有解

leehying · 发表于 2022-10-14 09:04:33

好问题，坐等...

wkp1992101 · 发表于 2022-10-14 09:12:48

主要是产生正温度系数，cmos工艺中三极管都是寄生产生了，与二极管相比不需要额外的mask，性价比更高。

天冷了0000 · 发表于 2022-10-14 17:52:17

本帖最后由天冷了0000 于 2022-10-14 17:57 编辑

今天考虑了一下这个问题，一般来说，cmos 工艺中，bjt的二极管用法实际上就是一个二极管。个人的看法，BJT 和diode用的mask 不一样，意味着器件的一致性和匹配性不一样。还有就是模型的精度。diode肯定也能做bandgap这是毋庸置疑的。
说diode增加mask的，这完全就不靠谱，diode都做不了的工艺，怎么做mos？
diode 本身就是CTAT 电压，弄个差值应该也能弄出来PTAT电压，我记得精粹有一个diode做的bandgap，

兰亭随笔 · 发表于 2022-10-14 20:28:52

因为二极管是无源器件

x14843912 · 发表于 2022-10-14 21:30:10

兰亭随笔发表于 2022-10-14 20:28
因为二极管是无源器件

请问这和无源器件、有源器件有什么关系啊，能否详细讲讲。

兰亭随笔 · 发表于 2022-10-15 10:32:24

x14843912 发表于 2022-10-14 21:30
请问这和无源器件、有源器件有什么关系啊，能否详细讲讲。

双极晶体管Q1和Q2工作在不同的电流密度下，它们的基极与发射极间的电压差与绝对温度成正比。将与电源无关的偏置电路与双极晶体管结合，得到带隙核心电路。

math123 · 发表于 2022-10-16 18:48:02

论坛以前讨论过这个问题
请教: bandgap里面的VPNP可以用LPNP或者二极管代替吗?
https://bbs.eetop.cn/thread-147627-1-1.html

[求助] 带隙基准源

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2