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[求助] 请问mos的栅极接地是什么作用

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发表于 2022-10-10 23:25:11 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看论文中有一段是说,用pmos有源电阻代替之前的电阻R,pmos栅极接地也可以做电阻么?和二极管接法的等效电阻有啥区别吗? image.png
发表于 2022-10-11 08:17:08 | 显示全部楼层
就是当电阻用的,俩好处,第一电阻阻值永远是固定的,而PMOS在VGS很小时电阻是超级大的,这样可以形成POR检测点的缓坡上电更方便产生复位延迟;第二在工艺上没有高值电阻时,mos做电阻会比电阻自己更省一些面积。
发表于 2022-10-11 08:24:43 | 显示全部楼层
VDD下面接电阻,看作一个电压源串联电阻;根据等效原理,该结构换为电流源并电阻。pmos栅极接地,VGS不变,这是一个恒流源。所以楼主上图中左右两种结构是等效的。在版图面积的角度,mos管的面积较电阻更小,这样做可以节省面积。
发表于 2022-10-11 08:56:49 | 显示全部楼层


castrader 发表于 2022-10-11 08:17
就是当电阻用的,俩好处,第一电阻阻值永远是固定的,而PMOS在VGS很小时电阻是超级大的,这样可以形成POR检 ...


请问用PMOS等效的电阻值如何计算呢,比如1K的电阻,用多大宽长比的管子等效呢?
发表于 2022-10-11 12:32:55 | 显示全部楼层
一楼说的有些道理,你这就是一个POR电路,VDD上电过程中,VDD变化,是一个动态过程,你要分析这个过程PMOS所处的状态是在线性阻抗区还是饱和区,线性阻抗区的阻抗和W/L和VGS有关系,饱和区的的电流也一样,所以这是个动态过程,不是恒定的。阻抗也是动态变化的,最开始PMOS处于饱和区恒流区,阻抗较大,恒流给电容充电(因为VDD变大,相当于VGS也变大,电流也变大),电容上的电压升高,PMOS进入线性阻抗区,电阻减小,直到最后,电容上的电压等于最终的VDD,电流变为零,这时候PMOS就像个导通的开关。
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