相同大小的mom电容，rf电容会比普通电容的Q值小很多

ChaselYe

看了下版图，两者的区别好像就是rf的mom多了层rfdmy识别层，我的理解两者应该本质上是一样的吧，不懂为啥会差这么多。。。他们说rf器件模型更准，所以说普通的mom的Q值本来就应该这么低吗？只是因为模型不准所以才显示出来高Q值？还是说rfdmy的存在让两者在本质上是不一样的。

522526tl

两者建模不一样，rf的会考虑各种寄生，比如到sub的寄生电容等，而普通model应该就是个电阻串联一个电容，这个应该会在器件文档中有说明。rf的模型更准是没问题的，rfdummy层可以用于区分模型还有一些rf特有drc rule

ChaselYe

522526tl 发表于 2022-10-3 22:43
两者建模不一样，rf的会考虑各种寄生，比如到sub的寄生电容等，而普通model应该就是个电阻串联一个电容，这 ...

所以说，可以有更准的rf model为啥还要用普通的model，有点不是很理解啊

kswlymqq

因为有些地方不需要很准确的Q，几十M的基带电路，C的Q是1000还是200都没区别，但是多出来的DRC要求还得额外处理

夜冷了

如果是rf 的工艺库，确认不增加mask 的基础上，直接用rf 的mom，这个道理就跟三端电阻一样，两端的也能用，默认都是用三端的，因为建模更全面一点。仿真结果和建模直接相关，普通电容Q值大是错觉，实际上并不是。

ChaselYe

kswlymqq 发表于 2022-10-5 11:35
因为有些地方不需要很准确的Q，几十M的基带电路，C的Q是1000还是200都没区别，但是多出来的DRC要求还得额外 ...

如果这样理解的话，懂了

ChaselYe

夜冷了 发表于 2022-10-6 07:01
如果是rf 的工艺库，确认不增加mask 的基础上，直接用rf 的mom，这个道理就跟三端电阻一样，两端的也能用， ...

不好意思，你的说法我有点不是很懂，我的库里普通mom也是三端器件。。。

nero007

连线电阻，寄生的电容，rfmom全部考虑进去了，所以Q值很高。mom的Q都有1000多

522526tl

ChaselYe 发表于 2022-10-4 15:38
所以说，可以有更准的rf model为啥还要用普通的model，有点不是很理解啊
...

因为rf model除了模型更准确外可能对layout的drc还有一些特殊要求，这样是为了保证他rf model 的准确性，一般模拟电路工作频率对寄生不是很敏感的情况下使用普通model即可，drc rule也相对较松，当然你是可以用rf model的，这对你的模拟电路来说可能没有太大帮助而你又要遵循可能比较严格的layout drc要求，你可以对比看看两个model对你电路的影响，根据需要选取。

px51

模型不一样，mom rf电容的模型电阻很大，普通电容无电阻。