0.18smic BCD工艺HVBN保护环里面不同的ptap可以用nw进行隔离吗？

xiaoyunbaixue · 发表于 2022-9-27 08:55:43

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0.18smic BCD工艺HVBN保护环里面不同的ptap可以用nw进行隔离吗？目前这样隔离后，drc, lvs都没有报错，但不知道会不会有啥潜在问题。B端电位不同但是HVBN电位相同的30v 含SNBL层的两个管子可以共用HVBN环放在一个ptap里面吗？目前这样操作了drc ,lvs 没报错。有没有哪位大佬SMIC 高压工艺成功流片过，还请多多指教。

你说我是谁 · 发表于 2022-11-1 16:04:08

smic bcd工艺，同一个nbl上面，是用WN(HV NWELL implant)这个层次隔离不同的ptap，也是nbl的接触

xiaoyunbaixue · 发表于 2022-11-2 19:39:29

你说我是谁发表于 2022-11-1 16:04
smic bcd工艺，同一个nbl上面，是用WN(HV NWELL implant)这个层次隔离不同的ptap，也是nbl的接触 ...

感谢你的回复，有些6v 12v器件不含SNBL层的，但是含有HVBN层，这种器件我是直接用NW做隔离，没有drc 错。有些高压器件含有SNBL层，我是用WN 环做隔离的。不知道你smic 工艺有没有流片成功过，有没有总结出一些坑供大家参考。

黄山997677 · 发表于 2022-11-8 16:02:44

因为5v的nwell就是wn,所以你用nwell隔一个p电位出来相当于就是用wn隔的

xiaoyunbaixue · 发表于 2023-4-24 10:46:51

用nw和wn隔离都行，但wn隔离效果最好，就是废面积。

[求助] 0.18smic BCD工艺HVBN保护环里面不同的ptap可以用nw进行隔离吗？

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