BCD工艺 隔离环寄生diode的击穿电压问题

HCRain

最近在找BCD工艺LV MOS的隔离环寄生diode的耐压值分别是多少（没在文档中找到，但在spectre可以搜到全部耐压信息）
发现不同隔离环名字上的耐压值，跟其对应的寄生diode耐压值并不相近。
以TSMC .18 BCD工艺举例，nch_5_shpdpwnblhvnw8_iso器件，按名字的理解隔离环耐压值是8V，但其对应的两个寄生diode在spectre中：
shpdpwnblhvnw_dio_iso, bv_max=21.6V;
hvnwnblpsubshp_dio_8_iso, bv_max=23.4V
都比8V大不少。
有哪位高手知道原因呢？我对此问题比较感兴趣，欢迎讨论。

peterlin2010

shpdpwnblhvnw_dio_iso, bv_max=21.6V;
=> p-well /  NBL + HVNW    junction

hvnwnblpsubshp_dio_8_iso, bv_max=23.4V
=> HVNW +NBL  / P-sub   junction

你要画出CROSS- SECTION  问FOUNDARY , 某个 junction  BV 多少才准,   Spice model 跟实际BV 本就不同阿, model 有时很难描述特性 , 有些 mos 须看spice model vs.s meas 图 ,  最好问FOUNDARY  , 我还碰到过某些 说MOS  VDS 耐压会受VGS 影响 , 也不是耐不住, 但 I-V curve 跟model出入太大,   FOUNDARY会特别说你要用, 可以 但VGS 要限制某小电压下.  或是 BV 电压限缩.

HCRain

peterlin2010 发表于 2022-9-26 22:05
shpdpwnblhvnw_dio_iso, bv_max=21.6V;
=> p-well /  NBL + HVNW    junction

谢谢您的回答，我联系Foundary问此问题。我对spice/spectre描述硬件的语言和对应的数学函数不是很懂，但直觉上bv_max既然用在定义diode击穿电压，而且隔离环的耐压跟寄生diode击穿电压有关，为何不在仿真语言中把它定到8V附近呢？小于bv_max就用正常工作的仿真模型，大于bv_max就报warning，用非正常工作模型。简单来说，我觉得仿真语言描述的参数与器件的实际表现有直接联系。
如果您知道更多信息，希望您能多讲一些，或者烦请您推荐部分资料我去看看

peterlin2010

HCRain 发表于 2022-9-26 22:25
谢谢您的回答，我联系Foundary问此问题。我对spice/spectre描述硬件的语言和对应的数学函数不是很懂，但 ...

MODEL TEAM 和生产那边不同TEAM , 很可能 spice model 跟本有错

你应该问FOUNDARY 那边, 不是上网问 ..