关于保护环层次

小狮子0309 · 发表于 2022-9-21 22:26:32

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想问一下最外圈接GND保护环一般有什么层次，我画的版图只放了有源区、P注入、metal1和孔。版图中调用的器件的P环还使用了pt即pwell层，那保护环需要加这一层次吗？

李幕白 · 发表于 2022-9-22 09:08:52

保护环有两种，一种是N型保护环，层次包含N注入，有源区，M1,通孔以及N肼，第二种是P型保护环，层次包含P注入，有源区，M1,通孔。一般N型是作为PMOS的衬底接电源，P型作为NMOS的衬底接地。

이지은 · 发表于 2022-9-22 09:21:22

工艺不一样，需要的就不一样，比如有些smic.18工艺只有个nwell，p_ring则不需要围pwell，有些工艺则有pwell这个层次，用来给nmos和p_ring，要pwellnwell相切等等，所以有pt的话，环也需要pt，因为保护环做衬底要和mos的衬底一致，nwell怎么围的pmos，pwell就怎么围nmos，跑一下lvs就知道了

小狮子0309 · 发表于 2022-9-22 17:29:17

이지은 发表于 2022-9-22 09:21
工艺不一样，需要的就不一样，比如有些smic.18工艺只有个nwell，p_ring则不需要围pwell，有些工艺则有pwell ...

在design中找到note了，确实需要加pwell。但是这个规则看不太明白，是所有的p+isoring必须要用P有源区连接起来吗？

이지은 · 发表于 2022-9-22 17:42:03

不需要噻，比如ABA布局这种，A是pring，B是nring，A和A相同电位的话，用metal把两个pring接一起就好了，跟nwell是一样的，nwell怎么接，pwell就一样来就行了，并不需要把所有pwell接一起，只是比如我有组nmos，摆一起需要围pring嘛，这时候nmos调出来肯定也有pwell，但nmos和pring有一定间距嘛，可能不会保证pring的well、和mos的well接在一起，就需要我们补上连一起，但隔得老远的两个pring就没必要了噻，直接metal把两个相同电位连起就行了

小狮子0309 · 发表于 2022-9-22 18:06:40

이지은 发表于 2022-9-22 17:42
不需要噻，比如ABA布局这种，A是pring，B是nring，A和A相同电位的话，用metal把两个pring接一起就好了，跟n ...

我也是这么想的，然后drc一直报note2的错误

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