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查看: 1809|回复: 5

[求助] 关于保护环层次

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发表于 2022-9-21 22:26:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想问一下最外圈接GND保护环一般有什么层次,我画的版图只放了有源区、P注入、metal1和孔。版图中调用的器件的P环还使用了pt即pwell层,那保护环需要加这一层次吗?
发表于 2022-9-22 09:08:52 | 显示全部楼层
保护环有两种,一种是N型保护环,层次包含N注入,有源区,M1,通孔以及N肼,第二种是P型保护环,层次包含P注入,有源区,M1,通孔。   一般N型是作为PMOS的衬底接电源,P型作为NMOS的衬底接地。
发表于 2022-9-22 09:21:22 | 显示全部楼层
工艺不一样,需要的就不一样,比如有些smic.18工艺只有个nwell,p_ring则不需要围pwell,有些工艺则有pwell这个层次,用来给nmos和p_ring,要pwellnwell相切等等,所以有pt的话,环也需要pt,因为保护环做衬底要和mos的衬底一致,nwell怎么围的pmos,pwell就怎么围nmos,跑一下lvs就知道了
 楼主| 发表于 2022-9-22 17:29:17 来自手机 | 显示全部楼层


이지은 发表于 2022-9-22 09:21
工艺不一样,需要的就不一样,比如有些smic.18工艺只有个nwell,p_ring则不需要围pwell,有些工艺则有pwell ...


在design中找到note了,确实需要加pwell。但是这个规则看不太明白,是所有的p+isoring必须要用P有源区连接起来吗?
IMG_20220922_172609.jpg
发表于 2022-9-22 17:42:03 | 显示全部楼层
不需要噻,比如ABA布局这种,A是pring,B是nring,A和A相同电位的话,用metal把两个pring接一起就好了,跟nwell是一样的,nwell怎么接,pwell就一样来就行了,并不需要把所有pwell接一起,只是比如我有组nmos,摆一起需要围pring嘛,这时候nmos调出来肯定也有pwell,但nmos和pring有一定间距嘛,可能不会保证pring的well、和mos的well接在一起,就需要我们补上连一起,但隔得老远的两个pring就没必要了噻,直接metal把两个相同电位连起就行了
 楼主| 发表于 2022-9-22 18:06:40 来自手机 | 显示全部楼层


이지은 发表于 2022-9-22 17:42
不需要噻,比如ABA布局这种,A是pring,B是nring,A和A相同电位的话,用metal把两个pring接一起就好了,跟n ...


我也是这么想的,然后drc一直报note2的错误
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