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本帖最后由 shadoww 于 2022-9-15 10:27 编辑
通常,设计Soc时,如果存储器的容量比较大,那么存储器在生产时出现坏点的概率就会增加,也就是说某个地址可能用不了。为了防止因为一个坏点就导致整个IC不能用,一般会选择在存储器内设置row redundancy或者column redundancy。
如果Memory有一个坏点,就用另外正常的 row redundancy去代替它进行写和读,完成功能。
一般说row redundancy会设置2个row。如附件。
这里我遇到一个问题,就是2个row对应的是理论的row还是物理上的row。
如果是理论上的row,那么示意图如图
如果是物理上的row,那么示意图如图
理论上的row redundancy的大小和物理上的row redundancy的大小是明显不一样的,原因是有column mux的存在。
我的问题就是,一般说设置2个row redundancy,指的是理论上的2个row还是物理上的。
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