如何驱动大的 p型 LDMOS ??

andy2000a · 发表于 2022-9-13 10:29:39

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如何驱动大的p型LDMOS ??

BCD 工艺相对来说p 管须限制 VGS , 一般用 levelshift 做 +zener . 但若p管需很大很大推力, mos size 也会很大. 难道level shift 做很大吗?

这种电阻分压方式不能推大

不是那half bridge circuit , 所以不会把低压做上面 ,

还是说大家会设计片内 ldo? capless LDO 方式, 做一个 “vddh- 5v” 的电压电路,vddh=30 就是做固定25v 电路 , 让p管LDMOS用5v 低压去推大的pLdmos ?

andy2000a · 发表于 2022-9-13 10:33:22

找到文看来是用低压电路推 ..

有其他更好? 因为若做低压还得版图上特别去为低压

找到文看来是用低压电路推 ..

paper

322320596.pdf (1.59 MB , 下载次数: 34 )

andy2000a · 发表于 2022-9-13 10:37:13

JP-41-4-562.pdf (693.96 KB , 下载次数: 26 )

还是说放弃p管? 如这边 paper 用n ?

demonhunter · 发表于 2022-9-13 12:24:05

Thanks.

peterlin2010 · 发表于 2022-9-14 07:43:19

DING ..

kwankwaner · 发表于 2022-9-14 14:32:25

本来导通就不要快，驱动小点又怎样，关闭要快，直接拉电源驱动也很大啊

andy2000a · 发表于 2022-9-14 15:08:29

kwankwaner 发表于 2022-9-14 14:32
本来导通就不要快，驱动小点又怎样，关闭要快，直接拉电源驱动也很大啊

一般高压 HVCMOS 很容易做 NOT NAND2 控制电路, 但 , 如果全电压 20v ~ 40v 改用 LDMOS下要如何? 因为不能选HV工艺. power driver IC 好像很多用ldmos design , 好奇 p管 ldmos 如果很大很大下 p管会如何推动??

kwankwaner · 发表于 2022-9-14 15:14:48

andy2000a 发表于 2022-9-14 15:08
一般高压 HVCMOS 很容易做 NOT NAND2 控制电路, 但 , 如果全电压 20v ~ 40v 改用 LDMOS下要如何? ...

导通驱动本来还要串Rg，不需要很强，关闭时驱动强，只需上拉到电源即可，简单p管就可以驱动

andy2000a · 发表于 2022-9-16 11:58:49

kwankwaner 发表于 2022-9-14 15:14
导通驱动本来还要串Rg，不需要很强，关闭时驱动强，只需上拉到电源即可，简单p管就可以驱动
...

thank you ..

Gerome · 发表于 2023-9-27 09:08:50

谢谢分享

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