MOS管耐压问题-BUCK

stones1702 · 发表于 2022-9-1 09:50:48

bandpass 发表于 2022-8-31 18:49
而且本身3.3V器件vds耐压也能超过3.63V，Fab给3.63是避免扯皮。用5V MOS做过dc-dc，输入5V，没问题。 ...

哈哈，见很多人都说Fab是为了撇开责任。做不做完全看设计者自己衡量了

stones1702 · 发表于 2022-9-1 09:53:33

struggleX 发表于 2022-8-31 19:50
瞬时超过3.63一般问题不大，不过确实可能会影响器件寿命，具体要做实验分析吧。如果实在担心，我觉得可以在 ...

目前没有额外的pad给我这边用了。

stones1702 · 发表于 2022-9-1 09:54:31

peterlin2010 发表于 2022-8-31 21:23
Double-Diode Substrate Isolation

多谢

，我研究一下

stones1702 · 发表于 2022-9-1 10:03:18

minxuezhang1117 发表于 2022-8-31 11:48
做自适应下管零电流关断

多谢，我去找下相关资料。或者您这边有相关资料可以参考吗？

andy2000a · 发表于 2022-9-1 10:38:11

3.3v mos g-s 耐压是 3.6 , 但 vds 一般来说可耐5v , 真无法换 process , 那HTOL 测看看chip 可靠度吧.

stones1702 · 发表于 2022-9-2 08:50:46

struggleX 发表于 2022-8-31 19:50
瞬时超过3.63一般问题不大，不过确实可能会影响器件寿命，具体要做实验分析吧。如果实在担心，我觉得可以在 ...

老哥有这样做流片吗，感觉风险很大啊，可能容易存在正常工作时电感短路？

andy2000a · 发表于 2022-9-2 10:14:13

本帖最后由 andy2000a 于 2022-9-2 10:16 编辑

GOOGLE

10V neuron stimulator 0.18µm with voltage clothing and folding2011.pdf (662.88 KB, 下载次数: 13 )

A 10V neuron stimulator in 0.18µm CMOS process with voltage clothing and folding voltage techniques

=> use 0.18um 1.8/3.3v working 10v
voltage clothing and folding voltage techniques

stones1702 · 发表于 2022-9-2 14:29:51

andy2000a 发表于 2022-9-2 10:14
GOOGLE

多谢我学习一下

andy2000a · 发表于 2022-9-6 17:14:24

GOOGLE

digitally dynamic power supply technique for 16-channel 12V-tolerant stimulator realized in a 0.18-µm 1.8-V/3.3-V low-voltage CMOS process

struggleX · 发表于 2022-9-6 17:18:30

stones1702 发表于 2022-9-2 08:50
老哥有这样做流片吗，感觉风险很大啊，可能容易存在正常工作时电感短路？
...

有流片呀，实在担心可以做成选配的方式。

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