关于LDO与BandGap的三个疑惑？

可乐Instinct · 发表于 2022-8-13 17:48:33

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请教大佬们以下三个问题：
1.LDO采用PMOS作为功率管和采用NMOS作为功率管各有什么优缺点？
2.BandGap中的BJT采用npn或者pnp各有什么优缺点？
3.LDO中的功率管工作在饱和区还是线性区？为什么？

一直走吧 · 发表于 2022-8-13 22:53:03

1.PMOS本身可以提供增益，而且可以支持更小的电压降
2.一般pnp，因为PSUB衬底，不方便做npn
3.饱和区。线性区会减少增益，还没见过进入线性区过

microE1Ectronic · 发表于 2022-8-14 09:52:00

nmos由于是源极输出，栅源之间有导通门限，使得输入输出之间压差没有pmos小。pmos源极在输入，因此在驱动上天生比nmos简单。但pmos要实现低的rdson要的面积比nmos大

春江随缘 · 发表于 2023-11-14 13:34:08

PMOS作为功率管和采用NMOS作为功率管，主要还是PSR ,NMOS作为功率管又存在电源工作范围限制，一般要加pump，或者用NZ管

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