请问如何提取LDO噪声，用于仿真VCO受电源噪声的影响程度

浪荡的中微子 · 发表于 2022-8-1 12:19:58

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本人在仿真设计LC-VCO时，采用的PMOS交叉耦合对管+电容阵列+小尺寸电感+去除尾电流源（就经典的ClassB结构），获得的相位噪声性能性能过好，FoM达到-194。我怀疑是因为未考虑电源噪声，所以性能虚高，于是设计了一个建议的LDO用于稳压。但是直接用LDO对VCO供电会导致pss仿真无法收敛，所以想提取出LDO的噪声，加到VCO电源上看性能会降低多少，请问大神们，改如何提取LDO噪声？
还有个问题：
VCO采用的去除尾电流源的结构，所以相位噪声性能优化很多，但是这种结构的电源抑制比很差，是否加上电源噪声，性能是否会恶化很多？大概多少呢？

大梦草原 · 发表于 2022-8-2 20:19:57

同遇到此问题。单纯提取LDO噪声加在VCO上结果非常奇怪。

math123 · 发表于 2022-8-16 18:36:26

本帖最后由 math123 于 2022-8-16 18:43 编辑

PMOS电流源对电源噪声有抵抗作用，采用PMOS电流源的LC-VCO在电源噪声抵抗方面会好很多，但会加入PMOS电流源以及其前端电路的器件噪声，贴一个反向ADMTV102里面的LC-VCO电路图。但我怀疑你的VCO性能虚高是model准确性的问题

上官轩晖 · 发表于 2022-9-23 07:22:32

math123 发表于 2022-8-16 18:36
PMOS电流源对电源噪声有抵抗作用，采用PMOS电流源的LC-VCO在电源噪声抵抗方面会好很多，但会加入PMOS电流源 ...

这电流镜的两侧L尺寸咋还不一样？

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