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[求助] 请问如何提取LDO噪声,用于仿真VCO受电源噪声的影响程度

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发表于 2022-8-1 12:19:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人在仿真设计LC-VCO时,采用的PMOS交叉耦合对管+电容阵列+小尺寸电感+去除尾电流源(就经典的ClassB结构),获得的相位噪声性能性能过好,FoM达到-194。我怀疑是因为未考虑电源噪声,所以性能虚高,于是设计了一个建议的LDO用于稳压。但是直接用LDO对VCO供电会导致pss仿真无法收敛,所以想提取出LDO的噪声,加到VCO电源上看性能会降低多少,请问大神们,改如何提取LDO噪声?
还有个问题:
VCO采用的去除尾电流源的结构,所以相位噪声性能优化很多,但是这种结构的电源抑制比很差,是否加上电源噪声,性能是否会恶化很多?大概多少呢?

发表于 2022-8-2 20:19:57 | 显示全部楼层
同遇到此问题。单纯提取LDO噪声加在VCO上结果非常奇怪。
发表于 2022-8-16 18:36:26 | 显示全部楼层
本帖最后由 math123 于 2022-8-16 18:43 编辑

PMOS电流源对电源噪声有抵抗作用,采用PMOS电流源的LC-VCO在电源噪声抵抗方面会好很多,但会加入PMOS电流源以及其前端电路的器件噪声,贴一个反向ADMTV102里面的LC-VCO电路图。但我怀疑你的VCO性能虚高是model准确性的问题

vco.png
发表于 2022-9-23 07:22:32 | 显示全部楼层


math123 发表于 2022-8-16 18:36
PMOS电流源对电源噪声有抵抗作用,采用PMOS电流源的LC-VCO在电源噪声抵抗方面会好很多,但会加入PMOS电流源 ...


这电流镜的两侧L尺寸咋还不一样?
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