耗尽型NMOS 和 Low Vth NMOS的区别

染纱

请问，同种工艺下，5V的耗尽型NMOS和5V的Low Vth的NMOS ，他两的Vth都是负的，一般耗尽型的Vth比Low Vth的更负，他俩在使用时有什么区别？

hitzhabc

染纱 发表于 2022-7-5 16:15
感谢回复，我目前用的是某国大厂的工艺，两个都是负值，没有疑问。为什么工厂本意不会把low Vth 做成负的 ...

low vth的目的是为了降低器件的开启电压，从而提高速度。但是，本质上还是把它当做开关或者放大器。那如果做开关，vth是负的，管子常开，就不能做开关了。所以工艺本身的目的是做正的NMOS阈值，而不是负的。如果需要接近0V或者负的阈值，有本征管和耗尽管可选。由于阈值比较低，因此在栅压有噪声的时候，会造成器件弱导通，因此漏电会严重很多。
用耗尽管或者本征管做电流源是比较常见的一个方法，但是问题在于阈值随温度和corner变化很大，因此需要trim解决corner问题，但是温度问题就不好解决了。如果要求不高的情况，可以用，省面积，也不会有启动等各种问题，而且工作电压很低。

hitzhabc

首先确认下，你用的工艺是否low vht的器件的阈值。一般情况下，low vth不是负的，本意做的时候也不会是负的。我见过某个工艺个别corner在特定温度下会是负的，但是工艺本身也不建议用在该温度下。low vth的目的是提高器件的速度，但是漏电也会随之增加。而耗尽管的vth肯定是负的。一个在vgs=0的时候是关闭的，一个是开启的。这是主要区别。

学无止境9527

2楼说的对，目前还没见过lowVT的管子阈值电压为负的情况，倒是有些nativeNMOS管阈值电压是负的，但负的不多

染纱

hitzhabc 发表于 2022-7-5 14:32
首先确认下，你用的工艺是否low vht的器件的阈值。一般情况下，low vth不是负的，本意做的时候也不会是负的 ...

感谢回复，我目前用的是某国大厂的工艺，两个都是负值，没有疑问。为什么工厂本意不会把low Vth 做成负的？是你说的会漏电的原因吗？
关于耗尽型 VGS=0的时候是打开的，没有疑问，那我是不是可以将它用作LDO的调整管？可以将它的dropout 做成PMOS LDO的效果？

染纱

学无止境9527 发表于 2022-7-5 15:10
2楼说的对，目前还没见过lowVT的管子阈值电压为负的情况，倒是有些nativeNMOS管阈值电压是负的，但负的不多 ...

感谢回复，的确有的工艺Low  Vth的是较小的正值，但我目前用的工艺确实是负值。

染纱

hitzhabc 发表于 2022-7-5 16:52
low vth的目的是为了降低器件的开启电压，从而提高速度。但是，本质上还是把它当做开关或者放大器。那如 ...

了解了，非常感谢。

piao

染纱 发表于 2022-7-5 16:15
感谢回复，我目前用的是某国大厂的工艺，两个都是负值，没有疑问。为什么工厂本意不会把low Vth 做成负的 ...

可以考虑，另外需要考虑电路不工作时漏电的影响

染纱

piao 发表于 2022-7-7 22:14
可以考虑，另外需要考虑电路不工作时漏电的影响

好的，感谢提醒

hkb013415

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