在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1506|回复: 2

[讨论] 为什么12nm guardring 里面会有PO,除了OD

[复制链接]
发表于 2022-7-1 20:33:59 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在12nm里面,如果PW guardring 里面OD上面有Metal Gate,那不就是一个MOS管吗?MG通过M0_PO互相连接起来的目的是什么?
这是什么工作原理?

.13工艺里面,PW guardring 不是应该连接到VSS吗?12nm这个连接关系没看懂
发表于 2022-7-2 10:49:59 | 显示全部楼层
本帖最后由 andyfan 于 2022-7-2 10:55 编辑

POLY只是DUMMY,是不是PICKUP,要看注入关系,而不是看是不是有POLY。

至于为什么一定要有POLY,因为FINFET啊,OD最后是立体的FIN,没有PO压住不行,OD没有单独存在的。和平面工艺不一样。

你随便PDK拉个管子,看看边上是不是必须压着POLY。
 楼主| 发表于 2022-7-4 13:12:24 | 显示全部楼层


andyfan 发表于 2022-7-2 10:49
POLY只是DUMMY,是不是PICKUP,要看注入关系,而不是看是不是有POLY。

至于为什么一定要有POLY,因为FINFE ...


非常感谢你。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-5-1 00:30 , Processed in 0.016529 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表