调整VDD，GND金属层以降低寄生电阻 求助！！

Tsengsink

我有两个问题，请教一下诸位
1、一般电源 地线需要用较顶层的金属，例如M7 M8之类，但是我用的MOS的源漏是M1，以及画衬底时能连接OD的只有M1，并且金属层只能一层一层通过VIA连上去，那是不是意味着走线用M8，在每个需要连接的MOS源漏处，以及衬底处都需要从M8--->M1去连接
那不是很麻烦并且占面积呢？

进一步，如果用上述方法的话，一般每两层之间连接的孔需要打几个合适呢？
如果不是的话，是怎么操作呢？？





2、请问一下，大家的衬底是怎么画的，我看的书上是将衬底包PMOS（Nmos）一圈，但这是反相器为例子，
那大家根据工程经验，较为复杂的电路的衬底一般是怎么画的呢？

y3.14

1：画个小模块例如反相器都要顶层金属那肯定麻烦费面积啊，一般的小模块用不到顶层金属。模拟的孔一般至少两个吧，具体多少个可以看孔的电流密度。一般金属交互打满。
2：所有器件的衬底都成环也挺费面积的，看电路对器件是否有要求，一般反相器就没必要了。

Tsengsink

y3.14 发表于 2022-6-27 17:47
1：画个小模块例如反相器都要顶层金属那肯定麻烦费面积啊，一般的小模块用不到顶层金属。模拟的孔一般至少 ...

你好 感谢回复，我现在做的是一个LDO，大概有60个MOS，现在是后仿发现寄生电阻比较大，看到建议用M8可以减小寄生电阻，
那我如果这样做的话，就是得一层一层通过via打过去是吗？

y3.14

想用M8那肯定是得一层一层打过去，不好打孔可以用底层金属连出去，再接到顶层金属。

水语嫣

或者可以在M1上面铺上M8,直接选择自动打孔，就把m1到m8的孔全部打上了，模拟的孔至少要两个

Tsengsink

水语嫣 发表于 2022-6-28 09:44
或者可以在M1上面铺上M8,直接选择自动打孔，就把m1到m8的孔全部打上了，模拟的孔至少要两个 ...

好的 谢谢！

chunzhilin

电阻太大可以选择多几层叠一起

木子李木子

为了避免自动打孔可能涉及其他区域，可以选择Stack，Drawn Area，选择Start layer 和End layer，选择区域打孔

Wesevan

学到了

vermoth

chunzhilin 发表于 2022-6-29 19:04
电阻太大可以选择多几层叠一起

你好 我不是太理解这个。同样长度的话 每层金属的电阻应该是固定的，多几层金属的话寄生阻抗不是应该会变大吗？
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我理解了 是并联的