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[资料] FINFET BSIM 模型详解

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发表于 2022-6-24 22:15:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 jarvis_min 于 2022-6-25 00:05 编辑

Chapter 1_FinFET—From device concept to standard compact model.pdf (1.77 MB, 下载次数: 57 , 售价: 2 信元资产 )



Chapter 2_Compact models for analog and RF applications.pdf

1.63 MB, 下载次数: 34 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 3_Core model for FinFETs.pdf

5.98 MB, 下载次数: 31 , 下载积分: 资产 -3 信元, 下载支出 3 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 4_Channel current and real device effects.pdf

933.43 KB, 下载次数: 31 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 5_Leakage currents.pdf

404.27 KB, 下载次数: 30 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 6_Charge, capacitance, and non-quasi-static effects.pdf

343.92 KB, 下载次数: 30 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 7_Parasitic resistances and capacitances.pdf

2.28 MB, 下载次数: 27 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 8_Noise.pdf

163.22 KB, 下载次数: 29 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 9_Junction diode I-V and C-V models.pdf

716.5 KB, 下载次数: 27 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 10_Benchmark tests for compact models.pdf

1.32 MB, 下载次数: 28 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 11_BSIM-CMG model parameter extraction.pdf

1.15 MB, 下载次数: 26 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

Chapter 12_Temperature dependence.pdf

912.82 KB, 下载次数: 20 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

售价: 2 信元资产  [记录]

发表于 2022-6-24 23:36:18 | 显示全部楼层
最后两个附件好像没法购买
 楼主| 发表于 2022-6-25 09:49:52 | 显示全部楼层


frj8848 发表于 2022-6-24 23:36
最后两个附件好像没法购买


可以吧,我看到有下载记录,你再试试。
 楼主| 发表于 2022-7-1 22:41:05 | 显示全部楼层
顶贴 挣点下载积分
发表于 2022-11-25 11:30:45 | 显示全部楼层
好像新的model  日本hisim 跟美国PSP  ,  PSPmodel 不是说要取代BSIM4 ( 2006~ 2011 ?? ) ,   finfet 或更新gaa  mos  都还 bsim ? 还是换成  PSP MODEL ??



BSIM6 是半导体产业的最新基板(bulkMOSFET标准模型。不同于先前的版本(BSIM3BSIM4),BSIM6使用一种更偏向物理表面电位/电荷的开发方法,但它与PSP HiSIM2 这两个业界标准基板模型有若干共同点。跟BSIM4 相比,BSIM6的主要优点在于它能够在零漏源偏压周围保持对称的输出特性。对于在电路运作期间,漏源偏压跨越零点的特定应用(例如被动式交换器)而言,这已经变成一项重要的要求。





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