FINFET BSIM 模型详解

jarvis_min · 发表于 2022-6-24 22:15:16

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本帖最后由 jarvis_min 于 2022-6-25 00:05 编辑

Chapter 1_FinFET—From device concept to standard compact model.pdf (1.77 MB, 下载次数: 63 , 售价: 2 信元资产 )

frj8848 · 发表于 2022-6-24 23:36:18

最后两个附件好像没法购买

jarvis_min · 发表于 2022-6-25 09:49:52

frj8848 发表于 2022-6-24 23:36
最后两个附件好像没法购买

可以吧，我看到有下载记录，你再试试。

jarvis_min · 发表于 2022-7-1 22:41:05

顶贴挣点下载积分

andy2000a · 发表于 2022-11-25 11:30:45

好像新的model有日本hisim 跟美国PSP , PSPmodel 不是说要取代BSIM4 ( 2006~ 2011 ?? ) , 那像 finfet 或更新gaa mos 都还 bsim ? 还是换成 PSP MODEL ??

BSIM6 是半导体产业的最新基板（bulk）MOSFET标准模型。不同于先前的版本（BSIM3和BSIM4），BSIM6使用一种更偏向物理表面电位/电荷的开发方法，但它与PSP 和HiSIM2 这两个业界标准基板模型有若干共同点。跟BSIM4 相比，BSIM6的主要优点在于它能够在零漏源偏压周围保持对称的输出特性。对于在电路运作期间，漏源偏压跨越零点的特定应用（例如被动式交换器）而言，这已经变成一项重要的要求。

[资料] FINFET BSIM 模型详解

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