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小弟在IEEE上看到几篇的ESD相关的paper，分享给大家。
前面几个是GGNMOS相关的，最后一个比较少见，AAS结构据说可以有效降低尺寸并提升ESD能力，感兴趣的同学可以拿去看看。
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Investigation_on_short_channel_GGNMOS_ESD_protection_device_for_low_power_IC.pdf
411.1 KB, 下载次数: 32
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信元资产
[记录]
GGNMOS
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GGNMOS_as_ESD_protection_in_different_nanometer_CMOS_process.pdf
281.41 KB, 下载次数: 32
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[记录]
GGNMOS
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Robust_ESD_Implanted_5V_GGNMOS_Clamp_Design_and_Process_optimization_with_maximi.pdf
693.05 KB, 下载次数: 28
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信元资产
[记录]
GGNMOS
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The_study_of_double-triggered_phenomenon_in_5V_multi-fingered_GCNMOS_ESD_device_.pdf
968.66 KB, 下载次数: 28
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售价: 1
信元资产
[记录]
GGNMOS
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Active-area-segmentation_AAS_technique_for_compact_ESD_robust_fully_silicided_NM.pdf
290.49 KB, 下载次数: 37
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[记录]
AAS
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发表于 2022-6-24 14:06:02
