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查看: 2597|回复: 7

[求助] tsmc高压工艺DRC错误

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发表于 2022-6-23 16:43:12 | 显示全部楼层 |阅读模式
20资产
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新人,有没有大佬能帮我看看这几个错是啥原因,不太会解决,谢谢啦

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1,LV的器件要包在NBL里面,这个错一般可以waived 2,你的poly浮空的,这种一般是你自己在poly上打孔,不是用pcell生成的,检查一下是否有真正浮空的 3,DRM是工厂建议你的rule,可以waive 4,OD的密度不够,需要补dummy 5,DOD是dummy OD的层次,你没用的话就不用管 6,你的MOM电容必须要被MOMDUMMY 覆盖住,自己检查一下吧 ...
发表于 2022-6-23 16:43:13 | 显示全部楼层
1,LV的器件要包在NBL里面,这个错一般可以waived     2,你的poly浮空的,这种一般是你自己在poly上打孔,不是用pcell生成的,检查一下是否有真正浮空的    3,DRM是工厂建议你的rule,可以waive     4,OD的密度不够,需要补dummy      5,DOD是dummy  OD的层次,你没用的话就不用管     6,你的MOM电容必须要被MOMDUMMY  覆盖住,自己检查一下吧
发表于 2022-7-18 17:40:59 来自手机 | 显示全部楼层
第一个是你缺少hvnw。需要有这个跟nbl进行连接。作为器件衬底环。
发表于 2022-7-18 17:41:53 来自手机 | 显示全部楼层
第二个是你的gate。float
发表于 2022-7-19 13:50:37 | 显示全部楼层
谢谢MrHlayout
发表于 2024-6-2 00:32:58 | 显示全部楼层
请问 6 是怎么解决的呢?如果没有使用 MOM,但是fab又不让 waive 的情况下
发表于 2024-6-2 18:53:52 | 显示全部楼层


mmo 发表于 2024-6-2 00:32
请问 6 是怎么解决的呢?如果没有使用 MOM,但是fab又不让 waive 的情况下


你没有mom为什么会有这个错误呢 ,是不是看错了
发表于 2024-6-2 18:54:39 | 显示全部楼层


MrHlayout 发表于 2022-6-23 16:43
1,LV的器件要包在NBL里面,这个错一般可以waived     2,你的poly浮空的,这种一般是你自己在poly上打孔, ...


我想问的是,第一个为什么可以waived
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