自启动电路的一个问题？

wjrahx · 发表于 2022-6-22 10:35:07

这种反相器结构受pvt影响比较大的，可靠性不高，建议把反相器变为pmos换为长沟道的pmos大电阻，nmos接法不变。

some44 · 发表于 2022-6-22 16:16:40

敬山一休发表于 2022-6-22 09:59
vbe本身电压比较低而且是具有温度特性，你关闭使用反相器的阈值去做的，工艺上偏差可能会导致无法关闭的 ...

你的意思是启动电路的反馈点最好和三极管的VBE不关联？比如将反馈点放在运放输出这种？

some44 · 发表于 2022-6-22 16:24:02

wjrahx 发表于 2022-6-22 10:35
这种反相器结构受pvt影响比较大的，可靠性不高，建议把反相器变为pmos换为长沟道的pmos大电阻，nmos接法不 ...

这样？

wjrahx · 发表于 2022-6-22 16:40:11

本帖最后由 wjrahx 于 2022-6-22 16:44 编辑

some44 发表于 2022-6-22 16:24
这样？

不是，你把反向器的pmosM2和pmos上面那个二极管接法的pmosM1换成大电阻，但是面积大，所以电阻可以用长沟道pmos管来代替电阻，还有M3的宽长比要大一些保证bg起来后启动电路能关掉

some44 · 发表于 2022-6-23 17:49:16

本帖最后由 some44 于 2022-6-23 18:13 编辑

wjrahx 发表于 2022-6-22 16:40
不是，你把反向器的pmosM2和pmos上面那个二极管接法的pmosM1换成大电阻，但是面积大，所以电阻可以用长沟 ...

这样？那对上面的P管大小数目有什么要求吗？比如W小点？m的话，根据电流？

some44 · 发表于 2022-6-23 18:28:57

本帖最后由 some44 于 2022-6-23 18:50 编辑

wjrahx 发表于 2022-6-22 16:40
不是，你把反向器的pmosM2和pmos上面那个二极管接法的pmosM1换成大电阻，但是面积大，所以电阻可以用长沟 ...

大佬，我还有个疑问，就是我看论坛上提到的，最好注入电流不要太大，是什么的十分之一，那怎么控制这个电流注入大小呢，我试了下，通过改M5和M6的宽长比的话，注入电流会有变化，所以是需要改这两个管子的大小，直到注入电流是所注入电流那条支路上电流的10分之一？还有，我看有的说还需要在M3的栅极挂个电容，有必要吗？

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