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查看: 3054|回复: 5

[原创] 亚阈值区MOS管的输出阻抗是多少?

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发表于 2022-6-17 15:20:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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书上鲜有资料提及亚阈值区MOS的输出阻抗,通过仿真发现受Vds影响挺大,rout的值和饱和区时候差不多,不知道可不可以使用饱和区的rout推导公式。
发表于 2022-6-17 15:44:34 | 显示全部楼层
亚阈值区I/V特性更接近bipolar,ro应该用bipolar公式去近似。
 楼主| 发表于 2022-6-17 17:13:56 | 显示全部楼层


acging 发表于 2022-6-17 15:44
亚阈值区I/V特性更接近bipolar,ro应该用bipolar公式去近似。


找到了格雷讲三极管的书,如图所示,1/r 受电流和WB的影响,WB为基区宽度。
三极管.png
三极管2.png
 楼主| 发表于 2022-6-17 17:30:49 | 显示全部楼层


acging 发表于 2022-6-17 15:44
亚阈值区I/V特性更接近bipolar,ro应该用bipolar公式去近似。


看来和跨导和厄尔利电压有关
三极管3.png
三极管4.png
 楼主| 发表于 2022-6-23 18:44:31 | 显示全部楼层


苏福人 发表于 2022-6-17 17:30
看来和跨导和厄尔利电压有关


根据工艺文件中的曲线来看,输出阻抗确实和vds有关,vds越小,输出阻抗越小
亚阈值区Gds_vers_Vds.png
发表于 2024-3-31 11:23:46 | 显示全部楼层
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