请问一下分立器件如何测ESD?

lichen867 · 发表于 2022-6-17 09:54:17

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芯片内部的ESD 我们已经熟悉，那么分立器件生产测试的时候是否需要测量ESD 特性呢？

以电容位例，nf 级别的电容，打了esd,大不了把esd能量都存起来了，电容两边电压变高一点。如果是10pF的电容呢？打一个hbm, 那么电容两边电压就很高了，很可能击穿损坏了。
还有电阻小电阻无所谓，1M左右的大电阻呢？两边加个2kv 电阻不一定烧毁，温漂特性改变还是有可能的吧。。。
很是疑惑。。。

lichen867 · 发表于 2022-6-20 16:51:55

顶一下，应该是挺有意思的问题呀，没人感兴趣吗

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