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[求助] 关于Latch up rule

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发表于 2022-6-15 17:57:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
30资产
如下图,DVDD Pad通过一个800ohm的电阻连接NMOS drain端,NMOS total width ~50um;Pad 同时直接连接到PMOS的Drain端,PMOS total width >2000um。那么问题来了:这几个N/P mos之间是否需要follow latch up layout rule,N+ OD到P+ OD之间拉开~20um的space?

image.png


 楼主| 发表于 2022-6-30 11:12:04 | 显示全部楼层


Electri-Atom 发表于 2022-6-29 16:51
间距不需要拉开太大,只要多打几道guardring,不放心可以打双环


非常感谢!
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