关于mos管中poly方向的问题

dddky · 发表于 2022-6-1 15:45:23

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之前一直以为，mos管的gate poly 方向需要一致，至少在一个模块中都应保持纵向的，所以画版图的时候，一直都是将mos管poly纵向，以及poly电阻也是和mos管保持一致的方向性。今天在观看前辈留下的layout 时，发现有一部分的mos管横着摆放的，gate poly就变成横向的了，这样真的没有问题吗？工艺刻蚀的时候是否会有一些差异呢？有没有精益求精的大佬解释一下~

lodestar6666 · 发表于 2022-6-1 15:53:47

只有匹配要求的MOS管方向要一致，其他无关紧要的管子无所谓方向，比如一些开关管，参数有些偏差也没事。

maomao198477 · 发表于 2022-6-1 16:34:53

你玩咋先进的工艺呢？

周末不上班 · 发表于 2022-6-1 17:17:30

如果要求方向一致，文档里面会有说明，没说明的也尽量保持一致为好

chenju2121 · 发表于 2022-6-1 17:38:51

平面工艺只有需要匹配的器件需要保持POLY方向一致，finfet 工艺才会要求所有POLY 方向一致

piao · 发表于 2022-6-13 23:17:15

这个跟着工艺要求吧，先进工艺的DFM要求才会要求同向吧

邱小呆 · 发表于 2022-8-26 17:18:44

不同工艺要求不同，建议每换一个工艺时候多看看design rule。

xuhaofeng · 发表于 2022-8-29 13:59:01

除了FINFET，平面工艺的poly方向在实际生产的过程中只是影响它的精度和可靠性。方向都一致肯定就好生产，方向不一致，能生产，但是精度可靠性什么的就不高。平时就可以根据这个来进行版图的布局，如果说横向的poly有利于你走线和布局，就可以横着，但是需要匹配的地方还是需要纵向。个人建议还是纵向poly，毕竟芯片是个几纳米的东西，方向一致，对于厂家来说，生产出来的可靠性越好。

piao · 发表于 2022-10-3 00:25:12

Thanks for sharing

Faithless · 发表于 2022-11-24 11:04:11

谢谢分享

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