GAA器件制造第一步的Si/GeSi超晶格外延应该怎么做呢？

菜菜CC · 发表于 2022-5-27 16:04:02

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比如想要在外延三层Si/GeSi结构，每层厚度为8nm，Si层是要作为mos管通道的，比如用RPCVD详细工艺要怎么做哇？

Linch1 · 发表于 2022-6-14 20:36:44

RPCVD做的Si能做沟道？leakage太大了！单晶Si/SiGe 要特殊的机台EPI才行

jackwng · 发表于 2023-3-10 14:28:25

这个目前用于量产的Finfet的SiGe EPI机台都可以做，Centura300 EPI和Intrepid ES，都属于A商，国产要再等等

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