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[资料] 用tsmc18rf工艺库实现一个二级米勒补偿运放,并用这个运放实现拉扎维书上带隙基准电路

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发表于 2022-5-23 21:37:18 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 CDzhang 于 2022-5-23 21:43 编辑

用前面帖子中tsmc18rf工艺库,设计一个实际运放,用这个实际运放代替拉扎维书(模拟CMOS集成电路设计)理想运放实现带隙基准。电路原理图上标注一些解释。二级米勒补偿运放增益(CSDN博主提供):链接:https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/118551567?spm=1001.2014.3001.5501
运放增益仿真.png
带隙基准仿真结果:
带隙基准.png


projec_tsmc18rf.zip

80.18 KB, 下载次数: 78

二级运放原理图和带隙基准实现并仿真

发表于 2022-5-25 18:22:04 | 显示全部楼层
支持下
发表于 2022-5-26 15:40:29 | 显示全部楼层
厉害
发表于 2024-10-7 15:13:46 | 显示全部楼层
thanks
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