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[求助] IO之间的间距问题

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发表于 2022-5-20 10:01:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
悬赏100资产已解决
image.png image.png 我想请教一下,图1的最小距离指的是什么和什么的最小距离?是指的图2这种情况吗?还有一个问题stagger IO,40nm工艺,电源地IO可以相邻放置吗(例如PVDD1AP+PVSS1AP),如果可以相邻电源地IO之间I怎么做ESD防护呢? image.png

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这个距离是signal IO 到任意最近的power IO 之间的距离。 电源和地的IO 之间正常可以abut在一起。 可能需要加filler ,具体看guide要求。 ESD 保护的器件是在IO cell里面的。
发表于 2022-5-20 10:01:09 | 显示全部楼层
这个距离是signal IO 到任意最近的power IO 之间的距离。
电源和地的IO 之间正常可以abut在一起。 可能需要加filler ,具体看guide要求。
ESD 保护的器件是在IO cell里面的。
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 楼主| 发表于 2022-5-20 11:51:59 | 显示全部楼层
非常感谢您能回答我的问题,我有一个疑问,就是IO分为signal IO和power IO,形成IO环路的时候,不就是(signal IO+power IO+signal IO(或者power IO)),它们不是挨在一起摆放的吗?怎么还有最小间距?
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发表于 2022-5-20 13:33:21 | 显示全部楼层


   
啥都会 发表于 2022-5-20 11:51
非常感谢您能回答我的问题,我有一个疑问,就是IO分为signal IO和power IO,形成IO环路的时候,不就是(sig ...


一般情况都是n个signalIO 配一组powerIO(pregrive+postdrive) , 如果n比较多就会出现距离power 较远的情况
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 楼主| 发表于 2022-5-20 15:43:19 | 显示全部楼层
确实是这样,但是我纠结的点就是(power IO1+signal IO1+signal IO+...signal IO3...+signal IO2+power IO2),假如IO是这么排布,文档里面说IO cell到最近的power IO的最小距离为273um,那么signal IO1和power IO1距离最近,它们距离为0,那就没有最小距离了; 所以我在想它这个距离会不会指的是power IO1和power IO2之间的最小距离?
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 楼主| 发表于 2022-5-20 16:02:48 | 显示全部楼层
好像也不是power IO1和power IO2之间的最小距离
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发表于 2022-5-20 16:19:33 | 显示全部楼层
我感觉你这不是 聊的
ESD 最小距离 是评估你signal IO和PG IO 之间不要放的太远 ESD 泄放电流path不能太长
StaggerIO有具体的rule PG IO能不能放在一起要看文档
你这个好像是SMIC的IO
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 楼主| 发表于 2022-5-20 19:35:33 | 显示全部楼层
对,是smic的IO,非常感谢
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 楼主| 发表于 2022-5-21 11:23:23 | 显示全部楼层
首先特别感谢楼上两位兄弟提供思路, image.png 我结合了一下文档,我觉得应该是这样的 image.png ,有觉得不对的希望可以提出意见
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发表于 2022-5-23 19:31:17 | 显示全部楼层
学习了 tks
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