SMIC.18BCD工艺MOS管的电压范围

white_w · 发表于 2022-5-16 22:01:21

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，这是1.8V的管子

，由于电源电压是3.3V，所以导致它的Vgn和Vbd超过了最大限度1.98V，这样的电路设计可以吗

三日月Eric · 发表于 2022-5-17 10:31:09

用5V的管子

white_w · 发表于 2022-5-17 17:01:17

三日月Eric 发表于 2022-5-17 10:31
用5V的管子

因为电源电压是3V，所以用5v的管子的阈值电压太大，不能进入饱和区或亚阈值区，还有一种就是用5V的管子，然后上面只用一个P管，不用cascode这样是可以的

andy2000a · 发表于 2022-5-17 17:28:47

电源电压是3V

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用3V device 阿

kevin531904 · 发表于 2022-5-17 17:38:37

不可以，这样会有耐压问题，你一上电直接大电流。建议用5V器件，我之前没有看见3V器件

white_w · 发表于 2022-5-18 09:22:50

kevin531904 发表于 2022-5-17 17:38
不可以，这样会有耐压问题，你一上电直接大电流。建议用5V器件，我之前没有看见3V器件 ...

是的，这个BCD工艺之有1.8V和5V的器件，没有3V的器件

diulaika · 发表于 2023-4-6 09:45:24

楼主可以分享我一下SMIC0.18BCD工艺库吗？

bohaiyujialing · 发表于 2023-5-17 14:45:53

Vgb还好，Vbd是比较危险的，pmos衬底能否自偏置，不接3.3

模拟小饼干 · 发表于 2023-9-18 19:53:07

你好，可以分享一下SMIC.BCD的工艺库吗

lin4050998 · 发表于 2023-9-25 09:20:54

1.8V器件你用到3.3V，是不保证精度的，一般S的精度保证在1.1VDD

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