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[求助] 拉扎维考虑沟道调制效应下的漏电流公式问题(关于λ)

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发表于 2022-5-11 22:16:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 红红的西瓜 于 2022-5-11 22:20 编辑

image.png 这是拉扎维考虑沟长调制效应后的ID公式,其中假设 image.png 。问题来了,当0<VDS<VGS-VTH时候,器件线性区,ΔL应该是等于0的,如果按照此假设,ΔL=L×λ×VDS不等于0,与实际情况不符合;另外当VDS=0时,DS之间没有横向电场,ID应当是=0,按照第一条公式,ID等于饱和电流,这明显是有差错的。所以,使用这个公式应该注意什么呢?是不是应该改成 image.png 呢?
用这个公式对VDS求个导得一个常数的输出电阻(与VDS无关的rout)倒没啥问题。不过当求器件的饱和跨导 image.png ,用这个公式直接求存在的差错应该怎么处理?

发表于 2022-5-12 05:58:19 | 显示全部楼层
不用纠结,这些公式离真实模型差得远。单纯的gds也没有什么实际用处。
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发表于 2022-5-12 05:59:16 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2022-5-12 09:16:46 | 显示全部楼层


   
JoyShockley 发表于 2022-5-12 05:58
不用纠结,这些公式离真实模型差得远。单纯的gds也没有什么实际用处。


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