VDMOS钝化合金后击穿电压下降可能是什么原因

qwert05054 · 发表于 2022-5-1 10:55:03

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一款高压VDMOS，METAL1合金后测试击穿电压正常，但是经过钝化淀积、钝化光刻刻蚀、钝化合金后再次测试，击穿电压下降了接近三分之一，这会是什么因素导致的？

luoxumin · 发表于 2022-10-21 13:32:00

可能是1、减薄；2、钝化层引入的应力导致

axel · 发表于 2022-11-15 21:08:39

passivation 层的击穿电压低了三分之一

用lcm检查漏电点，排除

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