互补型MOS开关内阻仿真的问题

ll980623

我的电路图如下，在VIN和VOUT之间接1mV的电压，然后从0到VDD（5V）扫描VIN，分别观察N管、P管和整个传输门的内阻随VIN变化曲线如下，有三个问题想请教一下：
①为什么在靠近0V时PMOS的内阻很大，靠近5V时NMOS的内阻很大？大到10的20几次方，我看的论坛里别的仿真波形下降和上升都很平缓
②传输门内阻为什么会有两个凸起，正常情况下好像应该是马鞍曲线？
③PMOS的衬底应该接源极还是接VDD？

ol0930

1、内阻大是因为相应工况下，开关不导通，想要平缓的曲线，把扫描电压设置成让两个mos全程导通再仿真；
2、第三条曲线就是马鞍曲线；
3、单独来看，PMOS衬底接Source或者接VDD都可以，但是要画版图的时候，前者的隔离要求比后者更高，因为接source意味着这个pmos的所在的nwell电压会随source变化，如果太低有可能会令这个well导通。

ll980623

   

ol0930 发表于 2022-3-23 18:50
1、内阻大是因为相应工况下，开关不导通，想要平缓的曲线，把扫描电压设置成让两个mos全程导通再仿真；
2、 ...

理解了！谢谢老师！