求问这里的MOS管为什么处于饱和区？

Qi_Guai

在IEEE上看到一篇论文：《A Digital-Trim Controlled On-Chip RC Oscillator 》（已添加到附件）其中看到这里的电路，如图：

论文里是这么说的，最末端的N管（即左侧串联电阻最末端的NMOS）始终处于饱和区，并且饱和电阻具有正温度系数，因此与上面有负温度系数的多晶硅电阻相互补偿，可以做到总电阻温漂小。
但问题是这个NMOS会是饱和区吗？我注意到它的栅极电压是电源电压，因此过驱动电压可以认为是VDD-Vth，但看这个NMOS的漏端电压，应当是小于Vdd-Vth的，因为从电源电压到N管漏端还经过了二极管和电阻，所以不会大于过驱动电压，因为应该是处于线性区
所以有没有前辈解答一下论文里为什么会说这里是处于饱和区呢？

大话天神

应该是线性区的

gongzhe1231

肯定是线性区啊，这就是笔误。

Qi_Guai

   

gongzhe1231 发表于 2022-3-18 17:39
肯定是线性区啊，这就是笔误。

这都是发在IEEE上的论文了，还能有这种笔误吗？感觉不太可能是笔误吧

iWeiguo

线性电阻区，triode region； 如果强调温度补偿，应该有个基本分析设计。