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[求助] HV CAP实现

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发表于 2022-3-10 01:50:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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目前使用的高压工艺pdk内没有耐高压的电容,有其他方法能在芯片内实现吗
发表于 2022-3-10 10:39:55 | 显示全部楼层
MoM cap. 將 space 拉大, 但 space v.s. voltage 的關係還是需要詢問 foundry, 不然就自己做大量 reliability test
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发表于 2022-3-10 17:20:47 | 显示全部楼层
多高电压?  没有 Hv mos ?
不同层间Metal  MOM (就是寄生电容)
   , 但单位 电容很小
另一个用LDMOS MOS CDS   寄生电容“DRAIN”  

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 楼主| 发表于 2022-3-11 01:32:21 | 显示全部楼层


   
andy2000a 发表于 2022-3-10 17:20
多高电压?  没有 Hv mos ?不同层间Metal间  MOM (就是寄生电容)  可 , 但单位 电容很小 另一个用LDMOS MOS ...


您好

目前使用TSMCHV工艺
想得到pF等级以上的电容,且至少耐压要达24V以上

您所说的LDMOS的COSS确实是可行的办法,不过面积还是会蛮大的
不知道是否有其他办法?

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发表于 2022-3-11 07:23:36 | 显示全部楼层


   
98765432100000 发表于 2022-3-11 01:32
您好

目前使用TSMCHV工艺


TSMC  HV工艺   

=> HV MOS CAP   ?

  TSMC 那套 , 没有 PIP MIM ?  
不过一般PIP耐压好像  <15V
TSMC 我不确定


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发表于 2022-3-11 11:36:52 | 显示全部楼层
mos cap   实现
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 楼主| 发表于 2022-3-11 16:58:38 | 显示全部楼层


   
peterlin2010 发表于 2022-3-11 07:23
TSMC  HV工艺   

=> HV MOS CAP   ?


只有mom cap有较高耐压但容值很小,mim cap无法耐较高电压
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 楼主| 发表于 2022-3-11 17:00:29 | 显示全部楼层


   
andy2000a 发表于 2022-3-11 11:36
mos cap   实现


想再请教您这样做的hv mos ring要怎么围?可否直接围一圈
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发表于 2022-3-12 13:42:14 | 显示全部楼层
本帖最后由 peterlin2010 于 2022-3-12 13:44 编辑

前面一堆人都说答案了 .  

MOM 或是 找耐高压MOS . 如果你只有 LDMOS  且低压GATE  LDMOS    , 某些LDMOS 工艺会分低压和中压 gate ,  那只有 MOM , 你用那类高压工艺? , 你都说高压工艺难到没有电容 ? 你应该直接问TSMC 那边吧..  没人知道 你工艺库有那类元件 , 如果 TSMC 说不能用, 那就是不能 .


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