求助一下大佬

模拟cmos

我这几天好好把拉扎维11章电路看了一遍 ，想问一下大佬这种设计w/l思路对不对？
  我假如定好id=10u 跟过驱动电压=200mv还有L 。因为改变w对vth的影响很小，我看在饱和区vth都是一个定值，然后利用vgs-vth=200mv 求出vgs = 200mv+vth。通过扫描不同w 然后得到id=10u 跟过驱动电压为200mv下的w值 这样就设计出来w/l了，我看了ppt上面电路跟我自己仿真电路好像id差别不大，我又感觉这样可以


我现在疑惑
  我看帖子都是定vdsat  而且vdsat跟vgs-vth 不同 这样得到的w应该跟实际值有区别 区别大吗？还有我看vdsat跟管子宽长比有关系 我如果定vdsat=200mv 如果扫描w 我找不到这个wdsat =200mv id =10u下的w来。

wkp1992101

Vov：过驱动电压overdrivevoltage，Vov=Vgs-Vth，过驱动电压也用Vod表示
Vdsat:饱和漏源电压或夹断时漏源电压（刚出现夹断）saturation drainvoltage
在长沟道下，vdsat=vgs-vth=vov，在短沟道下，由于二阶效应，vdsat小于vgs-vth，但这个值，spice也好，spectre也好，都是用来判断管子工作区间的。
vds>vdsat管子工作在饱和区

Vov=Vgs-Vth,用MOS的Level 1Model时，不考虑短沟道效应，Vdsat=Vov=Vgs-Vth,当Vds>Vdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。（长沟道器件）


但是考虑到短沟道效应的模型里，沟道里的多子因为速度饱和效应（Velocitysaturation），Vds不需要到达Vov，只要到达Vdsat，Ids就会饱和，不会再上升。但是此时在物理上，沟道并未达到Pinch-off，直到Vds=Vov，沟道的Pinch-off现象才会出现。也就是说在短沟道模型中，器件在沟道Pinch-off之前就会达到速度饱和，电流不会再增加（短沟道器件）


Vds-Vdsat要留一定余量，一般200mv，差分输入对一般为100多mv，一般来说vdsat<50mV管子基本就工作在线性区；一是怕管子由于工艺进入线性区；二是饱和区边缘rds较小。

模拟cmos

   

wkp1992101 发表于 2022-3-7 11:03
Vov：过驱动电压overdrivevoltage，Vov=Vgs-Vth，过驱动电压也用Vod表示
Vdsat:饱和漏源电压或夹断时漏源电 ...

那我想问一下应该如何通过仿真得到我想要的w 到底是定vdsat 还是vds来呢

wkp1992101

gm-id 查表即可

uniquemh

vdsat你设定好200mV，算出来W，实际再仿真，得到的Vdsat也不是精准的200mV，这个就是一个大概值，来算W。

你的想法就可以用，差别不大的。如果仿出来vdsat大了，W加大一些就好，仿真是关键

模拟cmos

   

uniquemh 发表于 2022-3-7 15:37
vdsat你设定好200mV，算出来W，实际再仿真，得到的Vdsat也不是精准的200mV，这个就是一个大概值，来算W。

...

我先听我学姐解释 我们在um级电路 可以认定vdsat=vgs-vth 其实两种差别不大 不知道这样有多大区别

uniquemh

   

模拟cmos 发表于 2022-3-7 18:10
我先听我学姐解释 我们在um级电路 可以认定vdsat=vgs-vth 其实两种差别不大 不知道这样有多大区别
...

这个差别确实不大，都是因为二级效应才引起的差别。设计的时候，这个差别有多少，不需要太费脑筋考虑。设计的计算，本身就是为了粗略算一下数值，所以用vdsat来计算，没问题的。    后面仿真再进行微调。

模拟cmos

   

uniquemh 发表于 2022-3-8 16:34
这个差别确实不大，都是因为二级效应才引起的差别。设计的时候，这个差别有多少，不需要太费脑筋考虑。设 ...

我看上面回复  他们都是取 vds-vdsat为200mv  我看有些ppt上面 他们就是取vgs-vth 为200MV 左右 这两种有社么区别吗

lj_hxc

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