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[求助] 咨询一个GGNMOS的寄生NPN导通问题

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发表于 2022-3-4 10:25:00 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式

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都说GGNMOS泄放ESD电流是靠寄生NPN导通,可是衬底P和source的N不是已经靠金属short在一起了,怎么能让NPN导通呢?
发表于 2022-3-4 14:20:58 | 显示全部楼层
内部的寄生电阻,把寄生都画出来就看明白了
发表于 2022-3-10 15:14:50 | 显示全部楼层
看这个
ggnmos.png
 楼主| 发表于 2022-3-10 16:02:43 来自手机 | 显示全部楼层
感觉和latch up的机理类似。可是衬底P和source N很好的连接就能避免latch up,而从这里看即使很好的连接也必然会有寄生pnp产生,似乎有矛盾,是我哪里没想清楚么?
发表于 2022-3-10 16:13:29 | 显示全部楼层


incol 发表于 2022-3-10 16:02
感觉和latch up的机理类似。可是衬底P和source N很好的连接就能避免latch up,而从这里看即使很好的连接也 ...


你的问题是没系统学习,严格来说确实很多时候机理就是一回事。

所以ESD保护器件有两个电压很重要,一个是Vtrig,一个是Vhold,trig snapback要小于二次击穿,这个应该容易理解,都热击穿,还没把sanpback trig起来,哪肯定挂了。hodl要大于VDD,就是ESD泄放完了,就恢复正常了,如果hold小于VDD,进入正反馈,就真的变成latch up了。

屏幕截图 2022-03-10 161245.png
发表于 2022-3-11 18:14:16 | 显示全部楼层
你只要有漏电流经过PW, 就能抬高路径中的PW 电位, 电流足够大时, 可以让pw N+ 正偏, 寄生三极管开启
发表于 2022-3-12 11:53:16 | 显示全部楼层
衬底有电阻和压降的
发表于 2022-3-15 14:23:30 | 显示全部楼层


这个图片里面为什么漏端是集电极,源端是发射极呢,是通过什么来判断的呢
发表于 2022-3-16 09:45:10 | 显示全部楼层


jlayoutzm 发表于 2022-3-15 14:23
这个图片里面为什么漏端是集电极,源端是发射极呢,是通过什么来判断的呢
...


寄生NPN的电流方向。nmos漏端PN结被击穿产生的是向基级的电流
 楼主| 发表于 2022-3-16 10:33:11 来自手机 | 显示全部楼层
或者这样问,需要防止GGNMOS latch up发生吗?导致GGNMOS产生latch up的NPN和泄放ESD电流的NPN是同一个NPN吗?
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