什么时候要考虑sti wpe这些效应呢？对版图来说，电路中哪些东西要考虑这些呢

suesuxin · 发表于 2022-2-9 18:08:56

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本帖最后由 suesuxin 于 2022-2-9 18:13 编辑

什么时候要考虑sti wpe这些效应呢？对版图来说，电路中哪些东西要考虑这些呢？

suesuxin · 发表于 2022-2-10 09:26:13

没人解答吗

chenju2121 · 发表于 2022-2-10 09:41:30

这些二阶效应主要是影响MOS管的开启阈值，对于需要匹配的器件就需要考虑，至于那些纯逻辑的电路不太需要。

gybak · 发表于 2022-2-11 11:18:28

主要针对模拟模块，浅槽隔离和阱偏效应都是影响MOS性能的二级效应

MOUSES · 发表于 2022-2-15 10:32:24

在深亚微米级工艺下需要考虑这些效应（T40nm）。对于电路中我就不清楚了

dishiwei · 发表于 2024-12-1 12:31:07

chenju2121 发表于 2022-2-10 09:41
这些二阶效应主要是影响MOS管的开启阈值，对于需要匹配的器件就需要考虑，至于那些纯逻辑的电路不太需要。 ...

逻辑电路为什么不用考虑

GoingtoStudy · 发表于 2024-12-2 09:58:30

dishiwei 发表于 2024-12-1 12:31
逻辑电路为什么不用考虑

因为只要能保证 0 1 开关就行，不需要太过分考虑所谓mos的性能？模拟部分很多比较在意匹配产生的电流的精度，对二级效应导致的偏差就很在意了

lcx99 · 发表于 2024-12-5 16:14:12

匹配等电路

chenju2121 · 发表于 2024-12-5 18:00:13

dishiwei 发表于 2024-12-1 12:31
逻辑电路为什么不用考虑

逻辑就是０和１　，电压低点高点不影响其逻辑

Jamie1221 · 发表于 2024-12-9 17:21:21

首先要理解STI（也称LOD效应） WPE效应，这两个二阶效应都是工艺发展到深亚微米技术时，带来的对mos的电参数（阈值电压和饱和电流）的影响，
深亚微米CMOS用STI做隔离，由于隔离沟槽填充的氧化物和硅衬底的热膨胀系数不同，导致STI压应力挤压邻近MOS的有源区和沟道，随着距离的增大，应力减小；
WPE是在进行阱离子注入时，经过电场加速的离子在光刻胶边界和侧面发生散射和反射，散射和反射离子会进入到硅表面，影响阱边界区域的掺杂浓度，距离阱边界越近，掺杂浓度越高；
一般在模拟电路中需要考虑匹配的地方，需要特别注意这两个效应，还有其他的二阶效应OSE PSE。
参考：集成电路制造工艺与工程应用温德通

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