请问大佬 本人想学习一下gmid设计方法

模拟cmos

研一老师要我们自己学习一下 我想自己仿真一下OTA结构，但是书上又没给W/L，然后我就找一下用gmid方法。一 首先遇到问题一 我想知道 gmid两边加的vds跟vgs 在看视频时他们都给随便给一个参数，我看别人PPT时说要按照电路需求来。是不是vds跟vgs会对gmid 中的仿真参数都有变化。
二 我想知道gmid方法 如果电路参数给的多 是不是就可以自己把gm和id算出来自己通过查找表，找到合适的参数。参数给的少 我看别人视频说一般取gmid为10左右，然后找一个合适的L,也把参数设计出来。

模拟cmos

dd  有大佬能不能帮我解答一下 ，我感觉从书本到实际电路仿真有点难

dongmou

先推一遍公式，再开始调电路，啥也别看，书上的运放结构，调两星期，自己琢磨琢磨就明白了，个人感觉研一学这个还为时尚早

模拟cmos

   

dongmou 发表于 2022-1-22 17:25
先推一遍公式，再开始调电路，啥也别看，书上的运放结构，调两星期，自己琢磨琢磨就明白了，个人感觉研一学 ...

嗯 那能不能帮我也解答一下上面的问题吗

JoyShockley

https://bbs.eetop.cn/thread-884323-1-1.html

gakkiFu

1.主要是扫不同的VGS和L，W和VDS的影响比较小，一般VDS设置成VDD/2就行了
2.gm/Id提供的是比平方律更精确一些的尺寸设计方法，根据电路性能的指标确定管子的gm或者Id，再通过gm/Id设计方法确定管子的W/L以及偏置电压

模拟cmos

   

gakkiFu 发表于 2022-1-26 16:51
1.主要是扫不同的VGS和L，W和VDS的影响比较小，一般VDS设置成VDD/2就行了
2.gm/Id提供的是比平方律更精确一 ...

谢谢大佬

hustjzr

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