dual gate oxide process 的意思？

蛋zizi

在 DR 中  半导体工序中 写到“

dual gate oxide process
dual gate oxide LP(1.1V/2.5V or 1.1V/2.5V)  
”
这是代表什么含义？？

搓芯片的酋长

1 dual gate oxide process:提供两种不同栅氧厚度，薄栅氧层为core device，厚栅氧层为I/O device
2 有两种方案：
① core device Vt: 1.1V    I/O device Vt: 2.5V
② core device Vt: 1.1V    I/O device Vt: 3.3V （我猜你打错字了，应该是3.3V或者1.8V）

bubushenghua

搓芯片的酋长 发表于 2022-1-21 16:37
1 dual gate oxide process:提供两种不同栅氧厚度，薄栅氧层为core device，厚栅氧层为I/O device
2 有两种 ...

我觉得Vt写错了吧。应该是power supply。