GGNMOS的漏端比源端宽

LZPDZ7 · 发表于 2022-1-20 11:18:29

为什么GGNMOS的漏端比源端宽？而且版图漏端金属也比源端宽

JustinLuo · 发表于 2022-1-20 13:08:38

会有大电流，增加散热面积

Lazymushroom · 发表于 2022-1-20 17:32:43

首先，需要搞清楚GGNMOS的ESD原理，当漏端发生ESD后，有大电流汇入，在漏区和衬底之间的PN结发生雪崩击穿，空穴从漏区注入衬底，在衬底的寄生电阻影响下，衬底电位增高。当空穴注入到一定值后（ESD电流大到一定值后），寄生的LNPN开启，开始泄放大电流。
但是！！！，过大的电流会发热，而寄生的LNPN的Vbe是负温度系数，温度升高导致Vbe减小，使LNPN泄放的电流更大，一直正反馈恶性循环造成第二次热击穿（不可恢复）。
所以！D区画大是为了增大散热面积。

LZPDZ7 · 发表于 2022-1-21 09:17:22

Lazymushroom 发表于 2022-1-20 17:32
首先，需要搞清楚GGNMOS的ESD原理，当漏端发生ESD后，有大电流汇入，在漏区和衬底之间的PN结发生雪崩击穿， ...

漏端比源端宽，很多人讲的是：Rd寄生电阻增大了，有一个限流、加压的作用，我也不知道对不对，你讲的是漏端金属比源端宽的原因吗？

不谓侠 · 发表于 2022-1-21 13:47:53

就一个目标，让所有管子同时开启，防止被逐个击穿

chunzhilin · 发表于 2022-2-15 10:13:51

一个是加宽漏端为了增加SAB这个层，也就是不做硅化，不让这个安培级的电流不会集中在表面，均匀的让电路往下面走。一般来说我们是希望进去的电阻小一点，出去的电阻可以大一些，这个是可以起到一个缓冲，这个代工厂这么做也是可以改动的，按照模块需要求也就是2K级别，需要满足1.3A电流。总的说来很复杂，还得自己积累

kissshenzhu · 发表于 2022-2-27 11:43:30

Drain extend

xmyshine · 发表于 2022-3-1 16:28:59

学习下

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