电压信号从高到低，进入稳态，对管子有瞬态击穿的风险，该怎么解决

drivesource · 发表于 2022-1-17 13:54:24

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（只要VGA输出超过600m,drv输出就会超过3V,drv级的几个mos管的瞬态电压就会超过击穿电压） ...

（只要VGA输出超过600m,drv输出就会超过3V,drv级的几个mos管的瞬态电压就会超过击穿电压）

liuhuaiyu · 发表于 2022-1-17 20:41:46

并联diode不可以吗？

drivesource · 发表于 2022-1-17 23:04:39

liuhuaiyu 发表于 2022-1-17 20:41
并联diode不可以吗？

drivesource · 发表于 2022-1-17 23:05:33

drivesource 发表于 2022-1-17 23:04

您是说是利用这种方式实现暂态过压保护么？

liuhuaiyu · 发表于 2022-1-18 10:34:04

大概是这个意思，一般用一对diode，可以参考芯片IO的ESD设计

[原创] 电压信号从高到低，进入稳态，对管子有瞬态击穿的风险，该怎么解决