关于功率芯片FT测试过程的问题

Cruise.lj

各位大佬！
      想请假大家一个问题，功率类的芯片在FT测试过程中，由于芯片是放在socket里面进行测试的，与芯片实际在PCB板上的环境相差很大（例如：各个引脚的寄生电感、寄生电容等）。我目前遇到一个问题就是一款音频（boost+class D）在PCB板上测试输出功率能够带到很大，但是上到FT的测试环境之后就会很容易烧芯片，目前看起来应该是FT测试版和socket的寄生电感过大所引起的。目前这款芯片采用的是FCQFN的封装，boost输入输出端的电容也离芯片较远，不知道大家都是怎么来应对这种情况的，是在芯片设计的时候就加很大的寄生电感，还是在采用特殊的socket和FT PCB板设计呢，望各路大佬赐教，谢谢！！！