电阻放在高压环境下的N阱里的问题

穿越时空的思念 · 发表于 2022-1-6 10:21:10

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新人求助，华宏工艺接高压的NBL和接地的PSUB之间形成的寄生二极管会把NBL击穿吗？电阻放在接高压的N阱里需要加额外的层吗，比如HVtube？

98765432100000 · 发表于 2022-1-7 20:56:59

頂一個

ywbeloved · 发表于 2022-1-17 13:40:58

不会，NBL和Psub的耐压一般会超过平台所提供的最高压的器件BV。电阻放在高压阱不需要额外层次。HVTUBE是针对5V CMOS的。

JC_09 · 发表于 2022-1-26 12:59:00

一般好的高压工艺会做高压、中压、低压三组电阻模型，高压NW下的电阻最好用高压的模型。如果没有高压模型，最好把电阻哪出高压区，而且要明确电阻两端的电压值

chunzhilin · 发表于 2022-2-15 16:04:04

HVTube这层在mask计算是没有用到的，MTT中有。高压电阻放高压N阱中是有好处的，从电阻注入上来分析。

[求助] 电阻放在高压环境下的N阱里的问题