不同代工厂的ＣＭＯＳ工艺，ＭＯＳ管的阈值电压不同吗？

2006204155 · 发表于 2007-12-27 19:26:31

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我以前仿真用的都是Ｃｈａｒｔｅｄ　的０.３５ｎｗｅｌｌ　ｃｍｏｓ工艺，ｎ管的阈值电压约为６４５ｍＶ，ｐ管的为８６８ｍＶ．今天看到一篇论文说ＴＳＭＣ０．３５的工艺，ｎ管的阈值电压为５３６ｍＶ，ｐ管的为７３６ｍＶ。差距有这么大么？

lovexxnu · 发表于 2007-12-27 20:02:51

不要说不同工厂的了就是同一工厂的不同工艺都不相同

差多少要看工艺差多少，RF的和digital工艺的差的不是一点，

2006204155 · 发表于 2007-12-27 20:11:03

看来以后选工艺是要多注意一下了。

ilysnoopy · 发表于 2007-12-27 20:12:04

实际做起来都有偏差的

spice · 发表于 2007-12-27 21:02:35

二楼说的是呀,举个例子说吧,特许半导体就算是同样的0.35um logic的工艺,由于侧重点儿不一样,它们的threshold voltage也不是完全一样的.

cczhanglc · 发表于 2007-12-27 22:54:55

不光那样，你加个电压，Vth都不一样

jjsnail · 发表于 2007-12-28 09:18:53

就算什么都一样了　vgs也一样了　　vsub不一样　vth　还是不一样
哈哈
楼下继续

sk1105 · 发表于 2007-12-30 14:34:45

差别很大，不同工艺几百mv，同工艺也会有几mv的差

zhengwei_jimmy · 发表于 2007-12-31 12:56:36

深亚微米工艺条件下，器件参数以及器件模型已经远不是我们所常用的模型。以阈值电压为例，深亚微米工艺下二阶效应，甚至更高阶效应对其产生的影响已经不可忽视甚至是占据主导地位。影响其数值的参数已经远不止我们所认识到的那几种。例如沟道长度以及沟道宽度的不同对阈值电压的影响十分明显。所以在比较精确的模型中器件的参数是根据器件尺寸的不同分区给出的。每个区域的参数由于宽长的不同器件尺寸也有着明显的差别。所以同一工艺下应用于不同场合的器件参数有着明显的变化也不足为奇。我想在实际设计中参数模型以及仿真工具给出的真正有意义的应该是其相对值而不是其绝对值。因为我们所用的模型方程是如此粗糙，仿真工具给我们显示的器件参数也只不过是利用模型文件中无数相关参数和经验公式的迭代数值结果罢了。

chenwenying · 发表于 2008-1-1 10:32:02

厂家工艺每次流片都应该有所变化的，不过针对手算来说，厂家提供的参数应该可以做电路估计的

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