【拉扎维】书中关于饱和区的一些近似推导（沟道长度调制）

stones1702 · 发表于 2021-12-26 17:01:30

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拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》中很多推导都用到了近似λVDS<<1，相当于假定ΔL/L<<1，例如在小信号模型中关于D，S之间电阻ro的推导，式2.48。也就是沟道夹断长度远远小于沟道长度，相当于是临界饱和区。这样的结论不能够适用于VDS>过阈值电压的情况吧，感觉没有普适性。是不是我理解有问题。感谢各位帮忙解答。

任性 · 发表于 2021-12-26 22:08:29

I think that when VDS increases, delta L will increase slightly. Even if VDS>VOD, the assumption holds.

caoliwei9898 · 发表于 2021-12-26 23:59:26

是的，你可以用pn结耗尽区宽度的公式当作德尔塔L的公式带进去计算沟道电阻ro，得到的ro是随vds增加而增加的

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