PN当外加正向电压大于内建电势时的情况

此系封

各位大神，最近在复习半导体器件物理时，发现如题所示的问题，按我的理解这个是耗尽区好像已经没有了，然后电子和空穴可以完全没有任何势垒的通过，那这个时候是以扩散电流为主呢还是漂移电流呢？谢谢！

eepi

PN结两端外加大于内建电势的正偏压时，耗尽层变薄，这个时候载流子扩散变得容易了，载流子漂移变少了，正偏压时是扩散电流占主导。

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eepi 发表于 2021-12-24 09:30
PN结两端外加大于内建电势的正偏压时，耗尽层变薄，这个时候载流子扩散变得容易了，载流子漂移变少了，正偏 ...

那如果正向电压的值大于内建电势时，耗尽区还有没有呢？如果没有了，那外部的电压是加在哪里的呢？就是两个接触电势？

kangkang005

正向电压的值大于内建电势时， 耗尽区还是有的，在pn的接触面一直存在浓度梯度差，因此会存在扩散，形成耗尽区。外加电压的大小与耗尽区的宽度有关，正向电压越大，耗尽区的宽度越小。

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kangkang005 发表于 2021-12-28 10:23
正向电压的值大于内建电势时， 耗尽区还是有的，在pn的接触面一直存在浓度梯度差，因此会存在扩散，形成耗 ...

这个不是很理解呢，就比如按照PN节某一侧的少子浓度来计算P型侧的电子浓度的话，当外加偏压等于内建电势的时候P型侧的电子浓度已经跟N型侧相等了，如果还有耗尽区，那整个耗尽区的电子浓度就是维持常数的，感觉应该不太对劲

eepi

此系封 发表于 2021-12-29 09:40
这个不是很理解呢，就比如按照PN节某一侧的少子浓度来计算P型侧的电子浓度的话，当外加偏压等于内建电势 ...

1.首先，外加偏压等于内建电势时，P区的电子怎么会和N区的电子浓度相等呢？外加偏压等于内建电势时，P区少子浓度是Pn0；即便是普通的PN结，Pn0也是远远小于Nn0的。
2.如果注入的少子浓度和多子相等了，那就是大注入情况了，这个时候又会有新的载流子浓度分布。这部分没怎么看过，理解的不好。

此系封

eepi 发表于 2022-1-2 19:20
1.首先，外加偏压等于内建电势时，P区的电子怎么会和N区的电子浓度相等呢？外加偏压等于内建电势时，P区 ...

首先，谢谢您的回复。1 我是根据少子浓度跟外加电压的关系，在外加电压等于内建电势的时候，指数项的阶数是0，所以就是跟另一侧的多子浓度相等了哈。
2 大注入的条件我也在看，不确定真正的大注入是两侧都是大注入还是只要某一侧发生大注入的时候就是大注入了。也就是当一侧发生大注入而另外一侧不是的时候，整个二极管的电流是满足大注入的电流公式还是小注入，感觉还是小注入，因为小注入的斜率更大。