Bandgap启动电路问题

云大大 · 发表于 2021-12-23 12:43:31

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请问，拉扎维上这个启动电路是怎么启动的？开启前VR1应为低，最左边的mos关断，上边的漏极电位怎么得到呢？

云大大 · 发表于 2021-12-23 17:22:21

明白了，这种二极管上拉的接法可以传高电位。因为如果下边是低电位，pmos二极管饱和即有I，但是没有电流通路，迫使下边电位必须拉高保证VGS很小即管子关断

andy2000a · 发表于 2021-12-23 12:57:40

最左边的mos关断 .. 左边 pmos diode -> 中 nmos Turn-on -- > 右边 pmos current -> R3

云大大 · 发表于 2021-12-23 14:00:28

andy2000a 发表于 2021-12-23 12:57
最左边的mos关断 .. 左边 pmos diode -> 中 nmos Turn-on -- > 右边 pmos current -> R3

这里的pmos二极管漏极接nmos栅极，不就悬空了吗？那电平如何确定呢？

大话天神 · 发表于 2021-12-23 15:08:07

把那个pmos_diode结构就看成个二极管，上P下N，当VDD由小变大，pn结导通往下灌电流，p管漏电位上升，电路启动。也有可能利用漏电流给下面充电，个人意见~

云大大 · 发表于 2021-12-23 15:43:48

大话天神发表于 2021-12-23 15:08
把那个pmos_diode结构就看成个二极管，上P下N，当VDD由小变大，pn结导通往下灌电流，p管漏电位上升，电路启 ...

我也感觉可能是漏电流，但又不确定

大话天神 · 发表于 2021-12-23 15:51:58

云大大发表于 2021-12-23 15:43
我也感觉可能是漏电流，但又不确定

万一工艺很好，漏电流非常小，岂不是要启动很久。感觉他这个是理想模型

云大大 · 发表于 2021-12-23 17:38:46

大话天神发表于 2021-12-23 15:51
万一工艺很好，漏电流非常小，岂不是要启动很久。感觉他这个是理想模型
...

可以看下我刚发的置顶消息

任性 · 发表于 2021-12-23 20:27:57

it's not the leakage current, start may be not slow, you can simu it

313949724 · 发表于 2021-12-24 09:00:59

nice, thank you so mush.

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